ラミネートベニアの辺縁形態(ディープシャンファー)

ラミネートベニアの辺縁形態はディープシャンファーに形成することが望ましいとされる。

また、ラミネートベニアの形成においては、エナメル質内に形成を限局させること、アンテリアガイダンスを保存すること、隣接面形態を保存することなどがポイントである。